Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 1 기가바이트 400 메가헤르츠
- - 184-pin DIMM
- - CAS 지연시간: 3
- - ECC
추가 정보>>>
Short summary description IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS 메모리 모듈 1 기가바이트 400 메가헤르츠:
This short summary of the IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS 메모리 모듈 1 기가바이트 400 메가헤르츠 data-sheet is auto-generated and uses the product title and the first six key specs.
IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS, 1 기가바이트, 400 메가헤르츠, 184-pin DIMM
Long summary description IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS 메모리 모듈 1 기가바이트 400 메가헤르츠:
This is an auto-generated long summary of IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS 메모리 모듈 1 기가바이트 400 메가헤르츠 based on the first three specs of the first five spec groups.
IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS. 내장 메모리: 1 기가바이트, 메모리 클락 속도: 400 메가헤르츠, 메모리 폼 팩터: 184-pin DIMM, CAS 지연시간: 3, ECC