Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 0,25 GB DDR 266 MHz
- - 200-pin SO-DIMM
- - Время задержки CAS: 2.5
- - 2.5 V
Больше>>>
Краткое суммарное описание Transcend 256MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR256) модуль памяти 0,25 GB DDR 266 MHz:
Этот краткий итог описания Transcend 256MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR256) модуль памяти 0,25 GB DDR 266 MHz сформирован автоматически и использует название продукта и первые шесть основных спецификаций.
Transcend 256MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR256), 0,25 GB, DDR, 266 MHz, 200-pin SO-DIMM
Общее описание Transcend 256MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR256) модуль памяти 0,25 GB DDR 266 MHz:
Это автоматически сформированный общий итог Transcend 256MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR256) модуль памяти 0,25 GB DDR 266 MHz основанный на первых трех спецификациях, первых пяти спецификаций групп.
Transcend 256MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR256). Оперативная память: 0,25 GB, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 MHz, Форм-фактор памяти: 200-pin SO-DIMM, Время задержки CAS: 2.5